Parâmetros importantes para seleção de TVS

Explicação:
VBR: O ponto onde a tensão de colapso @ IT - TVS torna-se instantaneamente de baixa impedância
VRWM: Mantenha a tensão - TVS está em um estado não condutivo neste estágio
VC: Tensão de fixação @ Ipp - A tensão de fixação é de aproximadamente 1,3 * VBR
VF: Tensão de condução direta @ IF - Queda de tensão direta
ID: Corrente de fuga reversa @ VRWM
IT: corrente de teste para tensão de colapso
IPP: corrente de pico de explosão
IF: Corrente de condução direta
Quando a corrente de pico de pulso IPP com duração de 20mS flui através de TVS, a tensão de pulso é fixada pelo dispositivo de proteção ESD e a tensão de pico máxima que ocorre em ambas as extremidades é VC.VC e IPP refletem a capacidade de supressão de pico do TVS.(Nota: VC é a tensão fornecida pelo diodo no estado de corte, ou seja, a tensão através de TVS durante o estado de impulso ESD.Não pode ser maior que a tensão limite permitida do circuito protegido, caso contrário, o dispositivo corre o risco de danos.).
Corrente máxima de fuga reversa @ VRWM
VRWM indica que sob o ID especificado, o valor de tensão em ambas as extremidades do dispositivo TVS torna-se a tensão máxima de operação reversa.Normalmente VRWM=(0.8~0.9) VBR.Nesta tensão, o consumo de energia do dispositivo é muito pequeno.(Observação: ao selecionar o tipo, Vrwm não deve ser inferior à tensão normal de trabalho do dispositivo ou circuito protegido. Geralmente, VopONUequipamento é geralmente 12V, e o tubo TVS é geralmente selecionado para controlar VC entre 14V e 16V.
A tensão na qual o transistor TVS passa da corrente de teste especificada It, que é a tensão marcada indicando a condução do transistor TVS, ou seja, a partir deste ponto, o dispositivo entra em quebra de avalanche.VBR é a tensão de ruptura mínima para TVS e, a 25 ℃, TVS não sofrerá avalanches abaixo dessa tensão.Quando TVS flui através de uma corrente especificada de 1mA (IR), a tensão aplicada aos dois pólos de TVS é sua tensão mínima de ruptura VBR.Para atender ao padrão internacional IEC61000-4-2, os diodos TVS devem ser capazes de lidar com impactos ESD mínimos de 8kV (contato) e 15kV (ar).Alguns fabricantes de semicondutores usaram padrões de resistência ao impacto mais altos em seus produtos.Para certas aplicações de dispositivos portáteis com requisitos especiais, os projetistas podem selecionar dispositivos de acordo com suas necessidades.
A descrição acima é uma breve visão geral dos parâmetros importantes da seleção de TVS, que podem ser usados ​​como referência.Nossa empresa tem uma forte equipe técnica e pode fornecer serviços técnicos profissionais aos clientes.Atualmente, nossa empresa possui produtos diversificados: inteligenteonu, módulo óptico de comunicação, módulo de fibra óptica, módulo óptico sfp, equipamento olt, switch Ethernet e outros equipamentos de rede.Se você precisar, você pode entendê-los em profundidade.