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    पीओई पावर ओवर इथरनेट सर्ज प्रोटेक्शन

    पोस्ट समय: जून-12-2023

    पावर ओवर इथरनेट (पीओई) तकनीक का विकास बहुत मजबूत है।इस तकनीक का विकास विद्युत उपकरणों की स्थापना और तैनाती को आसान बना सकता है, इस प्रकार स्वतंत्र संचरण लाइनों की आवश्यकता समाप्त हो जाती है।आजकल, सिस्टम के भीतर बसों के माध्यम से डेटा, वीडियो ट्रांसमिशन, प्रवाह नियंत्रण और बिजली आपूर्ति प्राप्त करने के लिए सुरक्षा, संचार और स्मार्ट ग्रिड जैसे औद्योगिक प्रणालियों में बिजली आपूर्ति प्रौद्योगिकी (पीओई) का व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।हालांकि, औद्योगिक ईथरनेट के कठोर कामकाजी माहौल के कारण, पीओई बंदरगाह की वृद्धि और स्थिर सुरक्षा आवश्यक है।यहां पीओई प्रणाली की सुरक्षा योजना का संक्षिप्त परिचय दिया गया है:
    स्तर:
    (1) IEC61000-4-2: स्तर 4: 8kV से संपर्क करें;वायु: 15kV
    (2) IEC61000-4-5: 10/700us LEVELX: 6KV
    सिद्धांत: उपरोक्त दो योजनाएँ दो-चरण सुरक्षा के संयोजन को अपनाती हैं, जिसमें सामने का चरण एक इलेक्ट्रोस्टैटिक सिलिकॉन सप्रेसर SET और एक नकारात्मक क्लैंप वोल्टेज सप्रेसर NVCS होता है, जो बड़ी वृद्धि ऊर्जा को अवशोषित और जारी करता है।पिछला चरण सुरक्षा उपकरण एक इलेक्ट्रोस्टैटिक रक्षक ईएसडी है, सटीक क्लैंप वोल्टेज और तेज प्रतिक्रिया गति के साथ, पिछले चरण की अवशिष्ट ऊर्जा को अवशोषित करता है, वोल्टेज को उस सीमा के भीतर कम करता है जो बैक-एंड सर्किट का सामना कर सकता है, और बैक की रक्षा करता है- अंत चिप।पारंपरिक 48V बिजली आपूर्ति सुरक्षा में, परीक्षण स्तर में सुधार के लिए अधिक सुरक्षात्मक उपकरणों का उपयोग किया जाता है, जो बड़ी मात्रा में होता है और अवशिष्ट वोल्टेज पर खराब नियंत्रण प्रभाव होता है, जिसके परिणामस्वरूप बैक-एंड चिप क्षति की संभावना बढ़ जाती है।इस कारण से, SPSEMI इंस्टेंट थंडर इलेक्ट्रॉनिक्स ने विशेष रूप से POE (48V बिजली की आपूर्ति) के लिए एक नकारात्मक क्लैंप वोल्टेज सप्रेसर NVCS श्रृंखला सामग्री विकसित की है।इस सामग्री की एक बड़ी प्रवाह दर और एक छोटी मात्रा है, जिसे एसएमसी में पैक किया जाता है।अवशिष्ट वोल्टेज नियंत्रण के संदर्भ में, यह पारंपरिक टीवीएस सामग्रियों की तुलना में लगभग 20V कम है, जो प्रभावी रूप से बैक-एंड चिप की रक्षा कर सकता है।
    स्तर:
    (1) IEC61000-4-2: स्तर 4: 8kV से संपर्क करें;वायु: 15kV
    (2) IEC61000-4-5: 10/700us LEVELX: 6KV
    सिद्धांत: उपरोक्त दो योजनाएँ दो-चरणीय सुरक्षा को अपनाती हैं।फ्रंट स्टेज एक नेगेटिव क्लैम्प वोल्टेज सप्रेसर NVCS है, जो बड़ी सर्ज एनर्जी को अवशोषित और रिलीज करता है।रियर स्टेज प्रोटेक्शन डिवाइस एक इलेक्ट्रोस्टैटिक प्रोटेक्टर ईएसडी है, जिसमें सटीक क्लैम्पिंग वोल्टेज और तेज प्रतिक्रिया गति होती है।यह फ्रंट स्टेज की अवशिष्ट ऊर्जा को अवशोषित करता है, वोल्टेज को उस सीमा के भीतर कम करता है जिसे बैक-एंड सर्किट झेल सकता है और बैक-एंड चिप की सुरक्षा करता है।
    अंतर्राष्ट्रीय मानक IEC61000-4-5 के अनुसार, लाइटनिंग सर्ज ऊर्जा को आम तौर पर एक सामान्य मोड तरीके से इंजेक्ट किया जाता है।योजना के डिजाइन में सामान्य मोड सुरक्षा पर ध्यान दिया जाता है।एक इलेक्ट्रोस्टैटिक रक्षक TUSD03FB को विभेदक मोड सुरक्षा के लिए पृथक लाइनों के बीच जोड़ा जाता है, बिजली गिरने के क्षण में अवशिष्ट ऊर्जा को पीछे के छोर से जोड़ा जाता है, और लाइनों के बीच दबाव अंतर को बदलने से बचाता है।उपरोक्त सुरक्षा योजना को SPSEMI ट्रांसिएंट थंडर इलेक्ट्रॉनिक्स प्रयोगशाला द्वारा सत्यापित किया गया है।
    ऊपर ईथरनेट सर्ज प्रोटेक्शन पर पीओई पावर का एक संक्षिप्त अवलोकन है, जो सभी के लिए एक संदर्भ के रूप में काम कर सकता है।हमारी कंपनी के पास एक मजबूत तकनीकी टीम है और ग्राहकों को पेशेवर तकनीकी सेवाएं प्रदान कर सकती है।वर्तमान में, हमारी कंपनी के उत्पादों में विविधता है: बुद्धिमान ओनू, संचार ऑप्टिकल मॉड्यूल, ऑप्टिकल फाइबर मॉड्यूल, एसएफपी ऑप्टिकल मॉड्यूल, ओएलटी उपकरण, ईथरनेट स्विच और अन्य नेटवर्क उपकरण।यदि आपको आवश्यकता हो, तो आप एक गहरी समझ प्राप्त कर सकते हैं।



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