Դիոդը կազմված է PN հանգույցից, և ֆոտոդիոդը կարող է օպտիկական ազդանշանը վերածել էլեկտրական ազդանշանի, ինչպես ցույց է տրված ստորև.
Սովորաբար, կովալենտային կապը իոնացվում է, երբ PN հանգույցը լուսավորվում է լույսով:Սա ստեղծում է անցքեր և էլեկտրոնային զույգեր:Ֆոտոհոսանքն առաջանում է էլեկտրոն-անցքերի թիմերի առաջացման շնորհիվ:Երբ 1,1 ԷՎ-ից ավելի էներգիա ունեցող ֆոտոնները հարվածում են դիոդին, կստեղծվեն էլեկտրոն-անցք զույգեր:Երբ ֆոտոնը մտնում է Դիոդի սպառված շրջան, այն բարձր էներգիայով հարվածում է ատոմին։Սա հանգեցնում է ատոմների կառուցվածքից էլեկտրոնների ազատմանը:Էլեկտրոնների ազատումից հետո առաջանում են ազատ էլեկտրոններ և անցքեր:Ընդհանուր առմամբ, էլեկտրոնները բացասական լիցքավորված են, իսկ անցքերը՝ դրական։Սպառված էներգիան կունենա ներկառուցված էլեկտրական դաշտ։Այս էլեկտրական դաշտի պատճառով էլեկտրոն-անցք զույգը շատ հեռու է PN հանգույցից:Հետեւաբար, անցքերը շարժվում են դեպի անոդ, իսկ էլեկտրոնները շարժվում են դեպի կաթոդ՝ ֆոտոհոսանք առաջացնելու համար։
.
Ֆոտոդիոդի նյութը որոշում է դրա բնութագրերից շատերը:Հիմնական բնութագիրը լույսի ալիքն է, որին արձագանքում է ֆոտոդիոդը, իսկ մյուսը՝ աղմուկի մակարդակը, որոնք երկուսն էլ հիմնականում կախված են ֆոտոդիոդում օգտագործվող նյութերից։Տարբեր նյութեր օգտագործում են տարբեր արձագանքներ ալիքի երկարություններին, քանի որ միայն բավարար էներգիա ունեցող ֆոտոնները կարող են գրգռել էլեկտրոնները նյութի գոտու բացվածքում և առաջացնել զգալի ուժ՝ ֆոտոդիոդից հոսանք առաջացնելու համար:
.
Թեև նյութերի ալիքի երկարության զգայունությունը նշանակալի է, մեկ այլ պարամետր, որը կարող է էապես ազդել ֆոտոդիոդների աշխատանքի վրա, առաջացած աղմուկի մակարդակն է:Սիլիցիումային ֆոտոդիոդներն իրենց ավելի զգալի ժապավենային բացի պատճառով ավելի քիչ աղմուկ են արտադրում, քան գերմանիումի ֆոտոդիոդները:Այնուամենայնիվ, անհրաժեշտ է նաև հաշվի առնել ֆոտոդիոդի ալիքի երկարությունը, և գերմանիումի ֆոտոդիոդը պետք է օգտագործվի 1000 նմ-ից ավելի ալիքների համար:
.
Վերոնշյալը Diode-ի գիտելիքի բացատրությունն է, որը բերվել է Shenzhen HDV Phoelectron Technology Co., Ltd.-ի կողմից, որը օպտիկական կապի արտադրող է և արտադրում է կապի արտադրանք:Բարի գալուստհարցում.