Само сквозное отверстие имеет паразитную емкость относительно земли.Если известно, что диаметр изоляционного отверстия в слое пола сквозного отверстия равен D2, диаметр площадки сквозного отверстия равен D1, толщина печатной платы равна T, а диэлектрическая проницаемость подложки платы равно ε, Паразитная емкость переходного отверстия приблизительно равна C=1,41 ε TD1/(D2-D1)
Основное влияние паразитной емкости на цепь, вызванное переходными отверстиями, заключается в том, что она продлевает время сигнала и снижает скорость цепи.Например, для печатной платы толщиной 50 мил, если используются переходные отверстия с внутренним диаметром 10 мил и диаметром контактной площадки 20 мил, а расстояние между контактной площадкой и медным участком на земле составляет 32 мил. , мы можем приблизительно рассчитать паразитную емкость переходных отверстий, используя приведенную выше формулу, следующим образом: C = 1,41 x 4,4 x 0,050 x 0,020 / (0,032-0,020) = 0,517 пФ. Изменение времени нарастания, вызванное этой емкостью, составляет: T10-90 =2,2C (Z0/2)=2,2x0,517x(55/2)=31,28 пс.Из этих значений видно, что, хотя паразитная емкость одного переходного отверстия может не оказывать существенного влияния на замедление нарастания, следует соблюдать осторожность, если переходные отверстия используются несколько раз в разводке для межслойного переключения.
Наряду с паразитной емкостью в переходном отверстии присутствует еще и паразитная индуктивность.Паразитная последовательная индуктивность ослабляет вклад шунтирующей емкости и ослабляет эффективность фильтрации всей энергосистемы.Следующая формула может быть использована для простого расчета приблизительной паразитной индуктивности в переходном отверстии:
L=5,08h [ln (4h/d)+1], где L относится к индуктивности сквозного отверстия, h — длина сквозного отверстия, а d — диаметр центрального отверстия.Из уравнения видно, что диаметр переходного отверстия оказывает небольшое влияние на индуктивность, в то время как длина переходного отверстия оказывает наибольшее влияние на индуктивность.Используя приведенный выше пример, индуктивность переходного отверстия можно рассчитать как L=5,08x0,050 [ln (4x0,050/0,010)+1]=1,015 нГн.Если время нарастания сигнала составляет 1 нс, то его эквивалентная величина импеданса составляет: XL=π L/T10-90=3,19 Ом.
В итоге:
Выбор более тонкой печатной платы выгоден для снижения паразитных параметров
Старайтесь не менять слои и не использовать ненужные переходные отверстия для маршрутизации сигнала.
Просверлите отверстия рядом с блоком питания и землей, и чем короче и толще разводка отверстий и штырьков, тем лучше
Поместите больше отверстий заземления рядом со слоем коммутации сигналов, чтобы обеспечить ближайшую цепь для сигнала.
При изготовлении серии продуктов из оптического волокна, таких как оптический модуль,ОНУ, волоконно-оптический модуль, модуль OLT и т. д., необходимо учитывать влияние переходных отверстий на босу, передающую глазковую диаграмму, коэффициент экстинкции и т. д. или влияние на приемную чувствительность
Выше приведен краткий обзор «Введение в ключевые параметры BOSA — через размер (II)», который можно использовать в качестве справочного материала.Наша компания имеет довольно сильную техническую команду и может предоставлять профессиональные технические услуги клиентам.В настоящее время наша компания имеет разнообразную продукцию: интеллектуальныеону, оптический модуль связи, модуль оптоволокна, оптический модуль sfp, оборудование olt, коммутатор Ethernet и другое сетевое оборудование.Если вам нужно, вы можете узнать о них больше.
