Сам наскрізний отвір має паразитну ємність щодо землі.Якщо відомо, що діаметр ізоляційного отвору на шарі підлоги наскрізного отвору дорівнює D2, діаметр наскрізного отвору – D1, товщина плати друкованої плати – T, а діелектрична проникність підкладки плати – дорівнює ε, паразитна ємність отвору становить приблизно C=1,41 ε TD1/(D2-D1)
Основний вплив паразитної ємності на схему, спричинений переходами, полягає в тому, що вона подовжує час сигналу та зменшує швидкість схеми.Наприклад, для плати друкованої плати товщиною 50 Mil, якщо використовуються отвори з внутрішнім діаметром 10 Mil і діаметром контактної площадки 20 Mil, а відстань між майданчиком і мідною зоною на землі становить 32 Mil , ми можемо приблизно обчислити паразитну ємність перехідних отворів, використовуючи наведену вище формулу: C=1,41 x 4,4x 0,050 x 0,020/(0,032-0,020)=0,517 пФ. Зміна часу наростання, викликана цією ємністю, становить: T10-90 =2,2C (Z0/2)=2,2x0,517x (55/2)=31,28 пс.З цих значень можна побачити, що хоча паразитна ємність одного отвору може не мати значного впливу на уповільнення наростання, слід бути обережним, якщо отвори використовуються кілька разів у проводці для міжшарового перемикання.
Поряд з паразитною ємністю в отворі існує також паразитна індуктивність.Паразитна послідовна індуктивність послаблює внесок обхідної ємності та послаблює ефективність фільтрації всієї системи живлення.Наступну формулу можна використати для простого розрахунку приблизної паразитної індуктивності в переході:
L=5,08h [ln (4h/d)+1], де L позначає індуктивність наскрізного отвору, h — довжина наскрізного отвору, а d — діаметр центрального отвору.З рівняння видно, що діаметр отвору мало впливає на індуктивність, тоді як довжина отвору має найбільший вплив на індуктивність.Використовуючи наведений вище приклад, індуктивність переходу можна обчислити як L=5,08x0,050 [ln (4x0,050/0,010)+1]=1,015nH.Якщо час наростання сигналу становить 1 нс, то його еквівалентний розмір імпедансу: XL=π L/T10-90=3,19 Ом.
Підсумовуючи:
Вибір більш тонкої друкованої плати є вигідним для зменшення паразитних параметрів
Намагайтеся не змінювати шари та не використовувати непотрібні переходи для маршрутизації сигналу
Просвердліть отвори поблизу джерела живлення та заземлення, і чим коротше та товще проводка отворів та штирів, тим краще
Розмістіть більше отворів для заземлення біля шару комутації сигналу, щоб забезпечити найближчий ланцюг для сигналу
Під час виготовлення серії оптичних волоконних виробів, таких як оптичний модуль,ОНУ, волоконно-оптичних модулів, модулів OLT тощо, ви повинні враховувати вплив переходів на бозу, очкову діаграму передачі, коефіцієнт екстинкції тощо або вплив на чутливість прийому
Вище наведено короткий огляд «Вступ до ключових параметрів BOSA – через розмір (II)», який можна використовувати як довідковий матеріал.Наша компанія має досить потужну технічну команду, яка може надавати клієнтам професійні технічні послуги.В даний час наша компанія має різноманітні продукти: інтелектуальніonu, комунікаційний оптичний модуль, оптоволоконний модуль, оптичний модуль sfp, olt обладнання, комутатор Ethernet та інше мережеве обладнання.Якщо вам потрібно, ви можете дізнатися про них більше.
