VCSEL ដែលត្រូវបានគេហៅថា Vertical Cavity Surface Emitting Laser ពេញលេញ គឺជាប្រភេទឡាស៊ែរ semiconductor ។បច្ចុប្បន្ននេះ VCSEL ភាគច្រើនគឺផ្អែកលើ GaAs semiconductors ហើយរលកនៃការបំភាយគឺភាគច្រើននៅក្នុងរលកអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ។
នៅឆ្នាំ 1977 សាស្រ្តាចារ្យ Ika Kenichi នៃសាកលវិទ្យាល័យបច្ចេកវិទ្យាតូក្យូបានស្នើឡើងជាលើកដំបូងនូវគំនិតនៃឡាស៊ែរដែលបញ្ចេញពន្លឺលើផ្ទៃបែហោងធ្មែញបញ្ឈរ។នៅដើមដំបូង គាត់ចង់ទទួលបានឡាស៊ែរ semiconductor ទម្រង់បណ្តោយតែមួយ ជាមួយនឹងទិន្នផលមានស្ថេរភាព ដោយកាត់បន្ថយប្រវែងបែហោងធ្មែញ។ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ដោយសារតែប្រវែងខ្លីមួយផ្លូវនៃការរចនានេះ វាមានការលំបាកក្នុងការទទួលបានឡាស៊ែរ ដូច្នេះការស្រាវជ្រាវដំបូងរបស់ VCSEL ត្រូវបានអូសបន្លាយ។ពីរឆ្នាំក្រោយមក សាស្រ្តាចារ្យ Yihe Jianyi បានដឹងដោយជោគជ័យនូវការកាត់ឡាស៊ែរស៊េរី GaInAsP នៅកម្រិត 77 K ដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យាអេពីតាស៊ីដំណាក់កាលរាវ (វិធីសាស្រ្តនៃអេពីតាស៊ីដំណាក់កាលរាវដើម្បីជ្រាបចូលទៅក្នុងសារធាតុរឹងពីដំណោះស្រាយ ហើយដាក់ពួកវានៅលើស្រទាប់ខាងក្រោមដើម្បីបង្កើតស្រទាប់ស្តើងគ្រីស្តាល់តែមួយ។ )នៅឆ្នាំ 1988 ស៊េរី GaAs VCSELs ត្រូវបានដាំដុះដោយបច្ចេកវិជ្ជាការទម្លាក់ចំហាយគីមីសរីរាង្គ (OCVD) ដើម្បីសម្រេចបាននូវប្រតិបត្តិការជាបន្តបន្ទាប់នៅសីតុណ្ហភាពបន្ទប់។ជាមួយនឹងការអភិវឌ្ឍន៍ឥតឈប់ឈរនៃបច្ចេកវិជ្ជា epitaxial រចនាសម្ព័ន្ធ semiconductor DBR ជាមួយនឹងការឆ្លុះបញ្ចាំងខ្ពស់អាចត្រូវបានផលិត ដែលបង្កើនល្បឿនដំណើរការស្រាវជ្រាវរបស់ VCSEL យ៉ាងខ្លាំង។នៅចុងបញ្ចប់នៃសតវត្សទី 20 បន្ទាប់ពីស្ថាប័នស្រាវជ្រាវបានសាកល្បងរចនាសម្ព័ន្ធផ្សេងៗគ្នា ស្ថានភាពសំខាន់នៃ VCSEL ដែលមានកម្រិតអុកស៊ីតកម្មត្រូវបានកំណត់ច្រើន។បន្ទាប់មកវាបានផ្លាស់ប្តូរទៅដំណាក់កាលនៃភាពចាស់ទុំ ដែលការសម្តែងត្រូវបានកែលម្អ និងកែលម្អឥតឈប់ឈរ។
ដ្យាក្រាមផ្នែកនៃអុកស៊ីតកម្មមានកម្រិតឡាស៊ែរបញ្ចេញពន្លឺកំពូល
តំបន់សកម្មគឺជាផ្នែកសំខាន់នៃឧបករណ៍។ដោយសារតែបែហោងធ្មែញ VCSEL ខ្លីណាស់ ឧបករណ៍ផ្ទុកសកម្មនៅក្នុងបែហោងធ្មែញត្រូវផ្តល់សំណងបន្ថែមទៀតសម្រាប់របៀបដាក់។
ជាដំបូង លក្ខខណ្ឌចំនួនបីត្រូវតែបំពេញក្នុងពេលដំណាលគ្នាដើម្បីបង្កើតឡាស៊ែរ៖
1) ការចែកចាយបញ្ច្រាសរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូននៅក្នុងតំបន់សកម្មត្រូវបានបង្កើតឡើង។
2) បែហោងធ្មែញ resonant សមរម្យអនុញ្ញាតឱ្យវិទ្យុសកម្មរំញោចត្រូវបានចុកត្រឡប់មកវិញជាច្រើនដងដើម្បីបង្កើតលំយោលឡាស៊ែរមួយ;និង
3) ការចាក់បច្ចុប្បន្នគឺខ្លាំងគ្រប់គ្រាន់ដើម្បីធ្វើឱ្យការទទួលបានអុបទិកធំជាងឬស្មើនឹងផលបូកនៃការបាត់បង់ផ្សេងៗនិងបំពេញតាមលក្ខខណ្ឌកម្រិតបច្ចុប្បន្នជាក់លាក់។
លក្ខខណ្ឌចម្បងទាំងបីត្រូវគ្នាទៅនឹងគំនិតរចនានៃរចនាសម្ព័ន្ធឧបករណ៍ VCSEL ។តំបន់សកម្មនៃ VCSEL ប្រើប្រាស់រចនាសម្ព័ន្ធអណ្តូងរ៉ែ quantum ដ៏តឹងតែង ដើម្បីបង្កើតមូលដ្ឋានសម្រាប់ការសម្រេចបាននូវការចែកចាយការបញ្ច្រាសក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនខាងក្នុង។ក្នុងពេលជាមួយគ្នានេះ បែហោងធ្មែញដែលមានការឆ្លុះបញ្ចាំងសមស្រប ត្រូវបានរចនាឡើងដើម្បីធ្វើឱ្យ ហ្វូតុង បញ្ចេញមកបង្កើតជាលំយោលជាប់គ្នា។ជាចុងក្រោយ ចរន្តចាក់គ្រប់គ្រាន់ត្រូវបានផ្តល់ជូន ដើម្បីបើកដំណើរការ photons ដើម្បីជំនះការខាតបង់ផ្សេងៗនៃឧបករណ៍ខ្លួនវាដើម្បីបង្កើតយូរអង្វែង
នេះជារបៀបដែល Shenzhen HDV Optoelectronic Technology Co., Ltd. ដែលជាក្រុមហ៊ុនទំនាក់ទំនងអុបទិកបានពន្យល់ VCSEL ។