VCSEL သည် အပြည့်အ၀ရှိသော Vertical Cavity Surface Emitting Laser ဟုခေါ်တွင်သော semiconductor လေဆာတစ်မျိုးဖြစ်သည်။လက်ရှိတွင်၊ VCSEL အများစုသည် GaAs တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပေါ်တွင် အခြေခံထားပြီး ထုတ်လွှတ်မှုလှိုင်းအလျားသည် အဓိကအားဖြင့် အနီအောက်ရောင်ခြည်လှိုင်းတီးဝိုင်းတွင်ဖြစ်သည်။
1977 ခုနှစ်တွင် Tokyo University of Technology မှ ပရော်ဖက်ဆာ Ika Kenichi သည် ဒေါင်လိုက်-အခေါင်းပေါက် မျက်နှာပြင်ကို ထုတ်လွှတ်သော လေဆာ၏ သဘောတရားကို ပထမဆုံး အဆိုပြုခဲ့သည်။အစောပိုင်းကာလများတွင်၊ သူသည် အပေါက်အလျားကိုတိုစေခြင်းဖြင့် တည်ငြိမ်သောထွက်ရှိမှုရှိသော single longitudinal mode semiconductor လေဆာကို ရယူလိုခဲ့သည်။သို့သော်၊ ဤဒီဇိုင်း၏တိုတောင်းသောတစ်လမ်းမောင်းအရှည်ကြောင့်၊ လေဆာရောင်ခြည်ရရှိရန် စိန်ခေါ်နေသောကြောင့် VCSEL ၏အစောပိုင်းသုတေသနပြုမှုသည် ကြာရှည်ခဲ့သည်။နှစ်နှစ်အကြာတွင် ပရော်ဖက်ဆာ Yihe Jianyi သည် အရည်အဆင့် epitaxy နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ GaInAsP စီးရီးလေဆာများကို 77 K တွင် ခုန်နှုန်းဖြတ်တောက်ခြင်းအား အောင်မြင်စွာသိရှိနိုင်သည် (အရည်-အဆင့် epitaxy နည်းလမ်းသည် အရည်မှအစိုင်အခဲများကို စုပ်ထုတ်ပြီး တစ်ခုတည်းသော သလင်းခဲပါးလွှာသောအလွှာများထုတ်လုပ်ရန် အောက်စထရိတွင်ထည့်ထားခြင်းဖြစ်သည်။ )1988 ခုနှစ်တွင် GaAs စီးရီး VCSEL များကို အခန်းအပူချိန်တွင် စဉ်ဆက်မပြတ်လည်ပတ်မှုရရှိစေရန် အော်ဂဲနစ်ဓာတုအငွေ့ထုတ်ခြင်း (OCVD) နည်းပညာဖြင့် ကြီးထွားလာခဲ့သည်။epitaxial နည်းပညာ၏အဆက်မပြတ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ မြင့်မားသောရောင်ပြန်ဟပ်မှုရှိသောတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း DBR အဆောက်အဦများကို VCSEL ၏သုတေသနလုပ်ငန်းစဉ်ကိုသိသိသာသာအရှိန်မြှင့်ပေးသည်။20 ရာစုနှောင်းပိုင်းတွင်၊ သုတေသနအဖွဲ့အစည်းများသည် မတူညီသောဖွဲ့စည်းပုံများကို စမ်းသပ်ပြီးနောက်၊ ဓာတ်တိုးကန့်သတ်ထားသော VCSEL ၏ ပင်မရေစီးကြောင်းအခြေအနေမှာ အတော်လေး သတ်မှတ်ခံခဲ့ရသည်။ထို့နောက် ၎င်းသည် စွမ်းဆောင်ရည်ကို အဆက်မပြတ် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင် မြှင့်တင်ပေးသည့် ရင့်ကျက်မှုအဆင့်သို့ ပြောင်းရွှေ့ခဲ့သည်။
ဓာတ်တိုးခြင်း၏ အပိုင်းပိုင်းပုံကြမ်းသည် ထိပ်တန်းထုတ်လွှတ်သည့် လေဆာကို ကန့်သတ်ထားသည်။
တက်ကြွသောဒေသသည် စက်၏မရှိမဖြစ်အစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။VCSEL အပေါက်သည် အလွန်တိုသောကြောင့်၊ အပေါက်အတွင်းရှိ တက်ကြွသောကြားခံသည် lasing mode အတွက် အပိုအမြတ်လျော်ကြေးပေးရန် လိုအပ်ပါသည်။
ပထမဦးစွာ၊ လေဆာရောင်ခြည်ထုတ်လုပ်ရန် အခြေအနေသုံးခုကို တစ်ပြိုင်နက် ဖြည့်ဆည်းပေးရမည်-
1) တက်ကြွသောဒေသရှိ ကယ်ရီယာပြောင်းပြန်လှန်ဖြန့်ဖြူးမှုကို တည်ထောင်ထားသည်။
2) သင့်လျော်သော ပဲ့တင်ထပ်သော အပေါက်တစ်ခုသည် လေဆာအလှုပ်အခတ်ဖြစ်စေရန်အတွက် လှုံ့ဆော်ထားသော ဓာတ်ရောင်ခြည်များကို အကြိမ်များစွာ ပြန်လည်စုပ်ယူနိုင်စေပါသည်။နှင့်
3) လက်ရှိထိုးဆေးသည် အမျိုးမျိုးသောဆုံးရှုံးမှုပေါင်းလဒ်ထက် ကြီးမားသော သို့မဟုတ် တူညီပြီး အချို့သော လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်များကို ပြည့်မီစေရန် လုံလောက်သောအားကောင်းသည်။
မူလအခြေအနေသုံးခုသည် VCSEL စက်ပစ္စည်းတည်ဆောက်ပုံ၏ ဒီဇိုင်းသဘောတရားနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။VCSEL ၏တက်ကြွသောဒေသသည် အတွင်းပိုင်းဝန်ဆောင်မှုပေးသူပြောင်းပြန်လှန်ဖြန့်ဖြူးမှုကို နားလည်သဘောပေါက်ရန်အတွက် အခြေခံကိုတည်ဆောက်ရန် တင်းကျပ်ထားသော ကွမ်တမ်ရေတွင်းတည်ဆောက်ပုံကို အသုံးပြုသည်။တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ သင့်လျော်သော ရောင်ပြန်ဟပ်မှုရှိသော ပဲ့တင်ထပ်သော အပေါက်တစ်ခုသည် ထုတ်လွှတ်သော ဖိုတွန်များကို ပေါင်းစပ်လည်ပတ်မှုဖြစ်စေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။နောက်ဆုံးတွင်၊ ကြာရှည်ခံအောင်ဖန်တီးရန် ကိရိယာ၏ ဆုံးရှုံးမှုအမျိုးမျိုးကို ကျော်လွှားနိုင်စေရန် ဖိုတွန်ကို ဖွင့်ရန်အတွက် လုံလောက်သော ဆေးထိုးလျှပ်စီးကြောင်းကို ထောက်ပံ့ပေးထားသည်။
အလင်းဆက်သွယ်ရေးကုမ္ပဏီ Shenzhen HDV Optoelectronic Technology Co., Ltd. က VCSEL ကို ရှင်းပြသည်။