VCSEL, quae Verticalis Cavitatis Superficies dicitur Laser in plena emittens, est genus laseris semiconductoris.In statu, maxime VCSELs in semiconductoribus GaAs fundantur, et emissio necem maxime in cohorte fluctus infrared.
Anno 1977, Professor Ika Kenichi in Universitate Tokyo Technologiae primum conceptum laseris superficiei-cavitatis verticalis emittens, proposuit.Primis diebus, maxime voluit unum modum longitudinalem semiconductorem laser cum stabulo coactum breviando longitudinis cavitatis obtinere.Autem, ob brevem longitudinis quaestum hoc consilio, laser lasing provocabat ad obtinendum, sic primaevae investigationis VCSEL prorogata est.Duobus annis post, Professor Yihe Jianyi feliciter intellexit pulsum lasingum seriei laserarum GaInAsP ad 77 K utentem technologiam liquidam periodo epitaxy (modus epitaxiae liquido-phasi ad substantias solidas a solutione praecipitandas et eas in subiecto ad generandum strata unius crystallis tenuissimas. ).Anno 1988, series VCSELs GaAs ab organicis chemicis vaporibus depositionis (OCVD) technologiae auctae sunt ut continuam operationem in cella temperie obtineat.Cum continua progressione technologiae epitaxialis, semiconductor DBR structurae altae reflexionis effici potest, quae signanter accelerat processum investigationis VCSEL.In fine saeculi XX, postquam investigationes instituta varias structuras tentaverant, status amet oxidationis-VCSEL circumscriptae satis multa erat profectus.Is deinde in scaenam maturitatis ferebatur, ubi effectus assidue optimized et emendatur.
Diagramma sectionis oxidationis limitata top emittens laser
Regione activa est pars essentialis operis.Quia cavitas VCSEL brevissima est, medium activum in cavitate indiget ut plus lucri modus permanentis mercedis praebeat.
Primum, tres conditiones simul occurrere debent ad generandum laser.
1) tabellarius inversae distributionis in regione activa constituitur;
2) idoneam cavitatem resonantem permittit radialem excitatam nutriri multoties retro ad oscillationem laser formandam;et
3) Iniectio hodierna valida est ad quaestum opticum maiorem quam vel aequalem cum summa variis damnis et certis condicionibus limen currenti occurrentibus.
Tres primariae conditiones respondent notioni notionis VCSEL fabricae structurae.Regio activa VCSEL coacta quantum bene structura utitur ad fundandum ad constituendum inversionem distributionem tabellarii interni cognoscendi.Eodem tempore, cavitas resonans cum reflexivo congrua accommodata est ad emissas photons formandas oscillationes cohaerentes.Denique iniectio satis currenti providetur ut photons varia damna ipsius machinae ad diuturnam creando vincere possit
Ita Shenzhen HDV Optoelectronic Technologia Co, Ltd., societas communicationis optica, VCSEL explicavit.