VCSEL, izay antsoina hoe Vertical Cavity Surface Emitting Laser feno, dia karazana laser semiconductor.Amin'izao fotoana izao, ny ankamaroan'ny VCSELs dia mifototra amin'ny GaAs semiconductor, ary ny halavan'ny onjam-pamokarana dia indrindra amin'ny tarika onjam-peo infrarouge.
Tamin'ny 1977, ny Profesora Ika Kenichi ao amin'ny Oniversiten'ny Teknolojia Tokyo dia nanolotra voalohany ny foto-kevitra momba ny laser mamokatra amin'ny lavaka mitsangana.Tany am-piandohana, tena tiany ny hahazo laser semiconductor mode longitudinal tokana miaraka amin'ny vokatra azo antoka amin'ny fanafohezana ny halavan'ny lavaka.Na izany aza, noho ny halavan'ny tombony amin'ny fomba iray, dia sarotra ny mahazo laser lasing, noho izany dia naharitra ny fikarohana voalohany momba ny VCSEL.Roa taona taty aoriana, ny Profesora Yihe Jianyi dia nahatsikaritra tamim-pahombiazana ny fametahana laser an'ny GaInAsP andiany tamin'ny 77 K tamin'ny fampiasana teknolojia epitaxy phase liquide (ny fomba epitaxy amin'ny alàlan'ny ranon-tsavony mba handrotsahana akora mivaingana avy amin'ny vahaolana ary hametraka azy ireo eo amin'ny substrate mba hamoronana sosona manify kristaly tokana. ).Tamin'ny 1988, ny andian-dahatsoratra GaAs VCSELs dia nambolena tamin'ny alàlan'ny teknolojia organika etona deposition (OCVD) mba hahatratrarana ny fiasa mitohy amin'ny mari-pana.Miaraka amin'ny fampivoarana tsy tapaka ny teknolojia epitaxial, dia azo amboarina ny rafitra DBR semiconductor miaraka amin'ny taratra avo, izay manafaingana ny fizotran'ny fikarohana ny VCSEL.Tamin'ny fiafaran'ny taonjato faha-20, taorian'ny nanandraman'ny andrim-pikarohana ireo rafitra isan-karazany, dia napetraka tsara ny sata mahazatra ny VCSEL voafetra amin'ny oksida.Avy eo dia nifindra tany amin'ny sehatry ny fahamatorana, izay nanatsarana sy nanatsara hatrany ny fampisehoana.
Fizarana kisary momba ny oxidation voafetra top emitting laser
Ny faritra mavitrika no ampahany tena ilaina amin'ny fitaovana.Satria fohy dia fohy ny lavaka VCSEL, ny fitaovana mavitrika ao amin'ny lavaka dia mila manome onitra tombony bebe kokoa amin'ny fomba lasing.
Voalohany indrindra, fepetra telo no tsy maintsy tanterahina miaraka amin'ny famokarana laser:
1) napetraka ny fizarana inversion carrier ao amin'ny faritra mavitrika;
2) misy lavaka resonant mety ahafahan'ny taratra mihetsiketsika haverina imbetsaka mba hamoronana laser oscillation;SY
3) ny tsindrona amin'izao fotoana izao dia matanjaka ampy mba hahatonga ny Optical tombony lehibe kokoa na mitovy amin'ny fitambaran'ny fatiantoka isan-karazany sy hihaona sasany amin'izao fotoana tokona fepetra.
Ireo fepetra telo voalohany dia mifanandrify amin'ny foto-kevitry ny famolavolana ny firafitry ny fitaovana VCSEL.Ny faritra mavitrika amin'ny VCSEL dia mampiasa firafitry ny lava-drano voahenjana mba hametrahana ny fototry ny fanatontosana ny fitsinjarana fanodikodinam-pitaterana anatiny.Amin'izay fotoana izay ihany koa, ny lava-bato misy resonant miaraka amin'ny tara-pahazavana mifanaraka amin'izany dia natao mba hahatonga ny photons avoaka ho oscillations mifanaraka.Farany, ampy ny tsindrona amin'izao fotoana izao mba ahafahan'ny photons mandresy ny fatiantoka isan-karazany amin'ny fitaovana mba hamoronana maharitra.
Izany no fomba nanazavan'i Shenzhen HDV Optoelectronic Technology Co., Ltd., orinasam-pifandraisana optika VCSEL.