VCSEL, ເຊິ່ງເອີ້ນວ່າ ເລເຊີແນວຕັ້ງໜ້າຢູ່ຕາມເສັ້ນຜ່າສູນກາງຢ່າງເຕັມຮູບແບບ, ເປັນເລເຊີ semiconductor ຊະນິດໜຶ່ງ.ໃນປັດຈຸບັນ, VCSEL ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນອີງໃສ່ GaAs semiconductors, ແລະຄວາມຍາວຂອງຄື້ນການປ່ອຍອາຍພິດສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຢູ່ໃນແຖບຄື້ນ infrared.
ໃນປີ 1977, ສາດສະດາຈານ Ika Kenichi ຈາກມະຫາວິທະຍາໄລເທັກໂນໂລຢີໂຕກຽວ ໄດ້ສະເໜີແນວຄວາມຄິດທຳອິດຂອງເລເຊີທີ່ປ່ອຍແສງອອກຕາມຜິວໜັງຕາມແນວຕັ້ງ.ໃນຕອນຕົ້ນ, ລາວສ່ວນໃຫຍ່ຕ້ອງການຢາກໄດ້ເລເຊີ semiconductor ຮູບແບບຕາມລວງຍາວອັນດຽວທີ່ມີຜົນຜະລິດທີ່ຫມັ້ນຄົງໂດຍການເຮັດໃຫ້ຄວາມຍາວຂອງທໍ່ສັ້ນລົງ.ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເນື່ອງຈາກຄວາມຍາວຂອງການອອກແບບຫນຶ່ງທາງດຽວສັ້ນ, ມັນທ້າທາຍທີ່ຈະໄດ້ຮັບ laser lasing, ດັ່ງນັ້ນການຄົ້ນຄວ້າເບື້ອງຕົ້ນຂອງ VCSEL ແມ່ນ prolonged.ສອງປີຕໍ່ມາ, ສາດສະດາຈານ Yihe Jianyi ປະສົບຜົນສຳ ເລັດການຮັບຮູ້ການຜ່າຕັດຂອງເລເຊີຊຸດ GaInAsP ຢູ່ທີ່ 77 K ໂດຍໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ epitaxy ໄລຍະຂອງແຫຼວ (ວິທີການຂອງ epitaxy ໄລຍະຂອງແຫຼວເພື່ອ precipitate ທາດແຂງຈາກການແກ້ໄຂແລະຝາກພວກມັນໃສ່ຊັ້ນໃຕ້ດິນເພື່ອສ້າງຊັ້ນບາງໆກ້ອນດຽວ. ).ໃນປີ 1988, VCSELs ຊຸດ GaAs ໄດ້ຖືກປູກໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການປ່ອຍອາຍພິດສານເຄມີອິນຊີ (OCVD) ເພື່ອບັນລຸການດໍາເນີນງານຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ.ດ້ວຍການພັດທະນາຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງເທກໂນໂລຍີ epitaxial, ໂຄງສ້າງ semiconductor DBR ທີ່ມີການສະທ້ອນສູງສາມາດຜະລິດໄດ້, ເຊິ່ງຊ່ວຍເລັ່ງຂະບວນການຄົ້ນຄ້ວາຂອງ VCSEL.ໃນຕອນທ້າຍຂອງສະຕະວັດທີ 20, ຫຼັງຈາກສະຖາບັນຄົ້ນຄ້ວາໄດ້ພະຍາຍາມອອກໂຄງສ້າງທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ສະຖານະພາບຕົ້ນຕໍຂອງ VCSEL ທີ່ຈໍາກັດການຜຸພັງແມ່ນຖືກກໍານົດໄວ້ຫຼາຍ.ຫຼັງຈາກນັ້ນມັນໄດ້ຍ້າຍເຂົ້າໄປໃນຂັ້ນຕອນຂອງການໃຫຍ່ເຕັມຕົວ, ບ່ອນທີ່ການປະຕິບັດໄດ້ຖືກປັບປຸງແລະປັບປຸງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ.
ແຜນວາດພາກສ່ວນຂອງ oxidation ຈໍາກັດດ້ານເທິງ emitting laser
ພາກພື້ນທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວແມ່ນສ່ວນທີ່ສໍາຄັນຂອງອຸປະກອນ.ເນື່ອງຈາກຊ່ອງຄອດ VCSEL ສັ້ນຫຼາຍ, ສື່ທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວຢູ່ໃນຊ່ອງຄອດຕ້ອງການໃຫ້ຄ່າຊົດເຊີຍເພີ່ມເຕີມສໍາລັບຮູບແບບການຍືດຍາວ.
ກ່ອນອື່ນ ໝົດ, ສາມເງື່ອນໄຂຕ້ອງໄດ້ຮັບການບັນລຸພ້ອມໆກັນເພື່ອສ້າງເລເຊີ:
1) ການແຈກຢາຍການປີ້ນກັບຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຢູ່ໃນພາກພື້ນທີ່ເຄື່ອນໄຫວຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນ;
2) ເປັນຢູ່ຕາມໂກນ resonant ທີ່ເຫມາະສົມອະນຸຍາດໃຫ້ radiation ກະຕຸ້ນໄດ້ຮັບການປ້ອນກັບຄືນໄປບ່ອນຫຼາຍຄັ້ງເພື່ອປະກອບເປັນ laser oscillation;ແລະ
3) ການສີດໃນປະຈຸບັນມີຄວາມເຂັ້ມແຂງພຽງພໍທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ການໄດ້ຮັບ optical ຫຼາຍກວ່າຫຼືເທົ່າກັບຜົນລວມຂອງການສູນເສຍຕ່າງໆແລະຕອບສະຫນອງເງື່ອນໄຂທີ່ແນ່ນອນໃນປະຈຸບັນ.
ສາມເງື່ອນໄຂຕົ້ນຕໍແມ່ນສອດຄ່ອງກັບແນວຄວາມຄິດການອອກແບບຂອງໂຄງສ້າງອຸປະກອນ VCSEL.ພາກພື້ນທີ່ຫ້າວຫັນຂອງ VCSEL ໃຊ້ໂຄງສ້າງ quantum ດີ strained ເພື່ອສ້າງພື້ນຖານສໍາລັບການ realizing ການແຜ່ກະຈາຍ inversion ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການພາຍໃນ.ໃນຂະນະດຽວກັນ, ຝາອັດປາກມົດລູກທີ່ມີແສງສະທ້ອນທີ່ເໝາະສົມໄດ້ຖືກອອກແບບເພື່ອເຮັດໃຫ້ໂຟຕອນທີ່ປ່ອຍອອກມາໃນຮູບແບບການສັ່ນສະເທືອນທີ່ສອດຄ່ອງກັນ.ສຸດທ້າຍ, ປະຈຸບັນການສີດພຽງພໍແມ່ນສະຫນອງໃຫ້ເພື່ອໃຫ້ photons ສາມາດເອົາຊະນະການສູນເສຍຕ່າງໆຂອງອຸປະກອນຕົວມັນເອງເພື່ອສ້າງຄວາມຍືນຍົງ
ນີ້ແມ່ນວິທີທີ່ Shenzhen HDV Optoelectronic Technology Co., Ltd., ບໍລິສັດສື່ສານ optical, ອະທິບາຍ VCSEL.