VCSEL، چې په بشپړ ډول د عمودی غار سرفیس ایمیټینګ لیزر په نوم یادیږي، یو ډول سیمی کنډکټر لیزر دی.اوس مهال، ډیری VCSELs د GaAs سیمیکمډکټرونو پراساس دي، او د اخراج څپې په عمده توګه د انفراریډ څپې بانډ کې دي.
په 1977 کې، د توکیو د ټیکنالوژۍ پوهنتون پروفیسور اکا کینیچي لومړی د عمودی - غار د سطحې جذبونکي لیزر مفهوم وړاندیز کړ.په لومړیو ورځو کې، هغه په عمده توګه غوښتل چې د غار اوږدوالی لنډولو سره د ثابت محصول سره یو واحد اوږدوالی موډ سیمیکمډکټر لیزر ترلاسه کړي.په هرصورت، د دې ډیزاین لنډ یو طرفه لاسته راوړنې اوږدوالی له امله، د لیزر لیزنګ ترلاسه کول ستونزمن وو، نو د VCSEL لومړنۍ څیړنه اوږده شوه.دوه کاله وروسته، پروفیسور ییه جیاني په بریالیتوب سره د مایع پړاو ایپیټاکسي ټیکنالوژۍ په کارولو سره د GaInAsP لړۍ لیزرونو 77 K کې د پلس شوي لیز کولو احساس وکړ (د مایع پړاو ایپیټاکسي طریقه چې د محلول څخه جامد مواد پریږدي او په سبسټریټ کې یې زیرمه کړي ترڅو د واحد کریسټال پرت تولید کړي. ).په 1988 کې، د GaAs لړۍ VCSELs د عضوي کیمیاوي بخار ډیپوزیشن (OCVD) ټیکنالوژۍ لخوا کرل شوي ترڅو د خونې په حرارت کې دوامداره عملیات ترلاسه کړي.د epitaxial ټیکنالوژۍ دوامداره پرمختګ سره ، د لوړ انعکاس سره د سیمیکمډکټر DBR جوړښتونه تولید کیدی شي ، کوم چې د پام وړ د VCSEL څیړنې پروسه ګړندۍ کوي.د شلمې پیړۍ په پای کې، وروسته له دې چې څیړنیزو بنسټونو مختلف جوړښتونه وڅیړل، د اکسیډیشن محدود VCSEL اصلي دریځ خورا ډیر ټاکل شوی و.دا بیا د بلوغ مرحلې ته لاړ، چیرې چې فعالیت په دوامداره توګه ښه شوی او ښه شوی.
د اکسیډیشن محدود لوړ اخراج لیزر برخې برخې ډیاګرام
فعاله سیمه د وسیلې لازمي برخه ده.ځکه چې د VCSEL غار خورا لنډ دی، په غار کې فعاله منځنۍ اړتیا ته اړتیا لري چې د لیزنګ حالت لپاره د زیاتې ګټې تاوان چمتو کړي.
تر ټولو لومړی، د لیزر تولید لپاره باید په ورته وخت کې درې شرایط پوره شي:
1) په فعاله سیمه کې د کیریر انعطاف توزیع رامینځته شوی؛
2) یو مناسب ریزوننټ غار ته اجازه ورکوي چې محرک وړانګې څو ځله بیرته تغذیه شي ترڅو د لیزر وسیلې رامینځته کړي.او
3) اوسنی انجیکشن دومره قوي دی چې نظری ګټه د مختلف زیانونو مجموعې څخه زیاته یا مساوي کړي او د اوسني حد شرایط پوره کړي.
درې لومړني شرایط د VCSEL وسیلې جوړښت ډیزاین مفهوم سره مطابقت لري.د VCSEL فعاله سیمه د فشار شوي کوانټم څاه جوړښت کاروي ترڅو د داخلي کیریر انعطاف توزیع احساس کولو اساس رامینځته کړي.په ورته وخت کې، د مناسب انعکاس سره یو ریزوننټ غار ډیزاین شوی ترڅو جذب شوي فوټونونه همغږي دوهلونه جوړ کړي.په نهایت کې ، د کافي انجیکشن کرنټ چمتو شوی ترڅو فوټونونه وکولی شي د وسیلې مختلف زیانونو باندې بریالي شي ترڅو د تل پاتې کیدو رامینځته کړي.
دا څنګه د شینزین HDV Optoelectronic Technology Co., Ltd.، د نظري مخابراتو شرکت، VCSEL تشریح کړه.